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参数目录34817
> NSS12600CF8T1G TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET
型号:
NSS12600CF8T1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NSS12600CF8T1G PDF
产品变化通告
LTB Notification
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
170mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
250 @ 1A,2V
功率 - 最大
830mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
带卷 (TR)
查看NSS12600CF8T1G代理商
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